5 نانومتر
| عمليات تصنيع أشباه الموصلات |
|---|
 |
|
MOSFET scaling (process nodes) |
|
|
المستقبل
|
في تصنيع أشباه الموصلات، تُعرف خارطة الطريق الدولية للأجهزة والأنظمة العقدة 5 نانومتر 5 nanometer (5 ن.م) على أنه العقدة التكنولوجية التالية للعقدة 7 نانومتر.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
التاريخ
خلفية
افترض بعض الخبراء أن العقدة 5 ن.م. توجد في نهاية قانون مور.[1] المقاحل الأصغر من 7 ن.م. ستعاني النقل الكمومي عبر بوابة طبقة الأكسيد.[2] بسبب التكاليف المتعلقة بالتطوير، فمن المتوقع أن تأخذ تقنية 5 ن.م. للوصول للأسواق زمناً أطول من السنتين حسب تقديرات قانون مور.[1]
ما بعد 7 ن.م. زُعم في البداية أنه يجب تحقيق تقدم تكنولوجي كبير لإنتاج الرقائق ضمن هذا النطاق الصغير.[بحاجة لمصدر] خاصة، أنه كان يعتقد أن 5 ن.م قد usher في التقنيات التالية FinFET، مثل عمارة gate-all-around.
استعراض التقنية
التسويق التجاري
معالجة عقد 5 ن.م.
| IRDS 2017
roadmap[3] |
TSMC
(proposed) |
IRDS 2017
roadmap | |
|---|---|---|---|
| اسم المعالجة | 5ن.م. | 5ن.م. | 7ن.م. |
| Transistor gate pitch (nm) | 42 | 44 | 48 |
| Interconnect pitch (nm) | 24 | 32 | 28 |
ما وراء 5 ن.م.
الأبحاث واستعراض التقنية
في 2018، خلق باحثون في معهد كارلسروه للتكنولوجيا مقحل يعمل ببوابة ذرية مفردة.[4]
المصادر
- ^ أ ب "End of Moore's Law: It's not just about physics". CNET. August 28, 2013.
- ^ "Quantum Effects At 7/5nm And Beyond". Semiconductor Engineering (in الإنجليزية الأمريكية). Retrieved 2018-07-15.
- ^ "IRDS international roadmap for devices and systems 2017 edition" (PDF).
- ^ https://www.kit.edu/kit/english/pi_2018_097_smallest-transistor-worldwide-switches-current-with-a-single-atom-in-solid-electrolyte.php
| سبقه 7 ن.م. |
عمليات تصنيع CMOS | تبعه 3.5 ن.م. |