5 نانومتر

في تصنيع أشباه الموصلات، تُعرف خارطة الطريق الدولية للأجهزة والأنظمة العقدة 5 نانومتر 5 nanometer (5 ن.م) على أنه العقدة التكنولوجية التالية للعقدة 7 نانومتر.

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

التاريخ

خلفية

افترض بعض الخبراء أن العقدة 5 ن.م. توجد في نهاية قانون مور.[1] المقاحل الأصغر من 7 ن.م. ستعاني النقل الكمومي عبر بوابة طبقة الأكسيد.[2] بسبب التكاليف المتعلقة بالتطوير، فمن المتوقع أن تأخذ تقنية 5 ن.م. للوصول للأسواق زمناً أطول من السنتين حسب تقديرات قانون مور.[1]

ما بعد 7 ن.م. زُعم في البداية أنه يجب تحقيق تقدم تكنولوجي كبير لإنتاج الرقائق ضمن هذا النطاق الصغير.[بحاجة لمصدر] خاصة، أنه كان يعتقد أن 5 ن.م قد usher في التقنيات التالية FinFET، مثل عمارة gate-all-around.

استعراض التقنية

التسويق التجاري

معالجة عقد 5 ن.م.

IRDS 2017

roadmap[3]

TSMC

(proposed)

IRDS 2017

roadmap

اسم المعالجة 5ن.م. 5ن.م. 7ن.م.
Transistor gate pitch (nm) 42 44 48
Interconnect pitch (nm) 24 32 28


ما وراء 5 ن.م.

الأبحاث واستعراض التقنية

في 2018، خلق باحثون في معهد كارلسروه للتكنولوجيا مقحل يعمل ببوابة ذرية مفردة.[4]

المصادر

  1. ^ أ ب "End of Moore's Law: It's not just about physics". CNET. August 28, 2013.
  2. ^ "Quantum Effects At 7/5nm And Beyond". Semiconductor Engineering (in الإنجليزية الأمريكية). Retrieved 2018-07-15.
  3. ^ "IRDS international roadmap for devices and systems 2017 edition" (PDF).
  4. ^ https://www.kit.edu/kit/english/pi_2018_097_smallest-transistor-worldwide-switches-current-with-a-single-atom-in-solid-electrolyte.php


سبقه
7 ن.م.
عمليات تصنيع CMOS تبعه
3.5 ن.م.