ترانزستور تأثير المجال

ترانزستور تأثير المجال أو المقحل المجالي أو ترانزستور تأثير المجال إنگليزية: Field-effect transistor نبيطة (مقحل) أحادي الاتجاه يتكون من 3 عناصر رئيسية المنبع، البوابة، المصب وينتقل التيار بين المنبع والمصب (أو بين المصب والمنبع لأنه أحادي القطب) عبر قناة ذات موصلية تتغير حسب جهد البوابة الكهربائي. ويعتمد نوع المقحل على نوعية تطعيم القناة، فإذا كانت القناة سالبة أي الإلكترونات هن حوامل غالبة والفجوات الإلكترونية هن حوامل أقلية فإن النبيطة تكون شبه موصل سالب أما إذا كان التشويب موجبا فتصبح النبيطة شبه موصل موجب.

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 التاريخ

المقالة الرئيسية: تاريخ ترانزستور

أول ترانزستور تأثير المجال اخترعه يوليوس إدگار ليلينفلد عام 1926 واوسكار هايل عام 1934، لكن لم يتم تطوير أجهزة أشباه الموصلات العملية إلا بعد لاحقاً بعدما تم رصد وتفسير تأثير الترانزستور من قبل فريق وليام شوكلي في معامل بل عام 1947، وفور انتهاء العشرين سنة انتهت براءة الاختراع. MOSFET، والتي تفوقت عليها JFET كان لها تأثير أكثر عمقاً على التطور الإلكتروني واخترعها داون كاهنگ ومارتن أتالا عام 1960.

 معلومات أساسية

انظر أيضاً: حامل الشحنة

 المزيد عن القنوات

Cross section of an n-type MOSFET

 التشغيل

انظر أيضاً: تأثير المجال (ترانزستور)

I–V characteristics and output plot of a JFET n-channel transistor.

FET conventional symbol types

 الأنواع

Depletion-type FETs under typical voltages: JFET, poly-silicon MOSFET, double-gate MOSFET, metal-gate MOSFET, MESFET.

  Depletion

  Electrons

  Holes

  Metal

  Insulator

Top: source, bottom: drain, left: gate, right: bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown.

يعتمد الترانزستور الحقلي على تأثير المجال الكهربائي في التحكم بموصلية القناة الواصلة بين المنبع والمصب ويتولد المجال الكهربي عن طريق تطبيق جهد كهربي على البوابة ذات المعاوقة الكبيرة فينتج مجال كهربي تزداد شدته بازدياد جهد البوابة ويتولى التحكم بموصلية القناة. وتنقسم المقاحل الحقلية حسب تركيب البوابة والقناة وطريقة العزل بينهما إلى:

• ترانزستور حقلي موصل
• ترانزستور معدني مؤكسد
• ترانزستور معدني

 انظر أيضاً

• ترانزستور تأثير المجال الكيميائي
• ترانزستور تأثير المجال العضوي
• ترانزستور تأثير المجال الكمومي
• ISFET
• MOSFET
• FET amplifier

 وصلات خارجية

• Field Effect Transistor Applications
• PBS The Field Effect Transistor
• Junction Field Effect Transistor
• CMOS gate circuitry
• Winning the Battle Against Latchup in CMOS Analog Switches
• Field Effect Transistors in Theory and Practice
• The Field Effect Transistor as a Voltage Controlled Resistor