محمد محمد عطا الله

محمد محمد عطا الله
محمد محمد عطا الله
	محمد عطا الله مديرًا لأبحاث أشباه الموصلات في هيولت-پاكرد في 1963
وُلِدَ	4 أغسطس 1924; بورسعيد، مصر
توفي	ديسمبر 30, 2009 (aged 85); أثيرتون، كاليفورنيا، الولايات المتحدة
الجنسية	مصري; أمريكي
أسماء أخرى	M. M. Atalla ; "Martin" M. Atalla ; "John" M. Atalla
التعليم	جامعة القاهرة (البكالوريوس) ; جامعة بوردو (ماجستير، دكتوراه الفلسفة)
اللقب	موسفت (ترانزستور MOS) ; تخميل السطح ; أكسدة حرارية ; PMOS و NMOS ; MOS دارة متكاملة ; وحدة أمان الأجهزة
الأنجال	بيل عطا الله
	السيرة الهندسية
المجال	الهندسة الميكانيكية ; الهندسة الكهربائية ; الهندسة الإلكترونية ; الهندسة الأمنية
الهيئات	معامل بل ; هيولت-پاكرد ; Fairchild Semiconductor ; Atalla Corporation
جوائز	القاعة الوطنية لمشاهير المخترعين ; Stuart Ballantine Medal ; Distinguished Alumnus ; IEEE Milestones ; IT Honor Roll

محمد محمد عطا الله إنگليزية: Martin Atalla (4 أغسطس 1924 – 30 ديسمبر 2009) هو مهندس مصري-أمريكي، وكيميائي فيزيائي، ومشفِّر، ومخترع ورجل أعمال. وضع عمله الرائد في تكنولوجيا أشباه الموصلات الأسس للإلكترونيات الحديثة. الأهم من ذلك، اختراعه موسفت (ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات، أو الترانزستور موس) في عام 1959، إلى جانب عمليات التخميل السطحي والأكسدة الحرارية (الأساس لتكنولوجيا أشباه الموصلات السيليكونية مثل شريحة الدارة المتكاملة أحادية الليثية) السابقة له، أحدث ثورة في صناعة الإلكترونيات. يُعرف أيضًا باسم مؤسس شركة أمن البيانات «شركة عطا الله» (المعروفة الآن باسم يوتيماكو عطا الله)، تأسست عام 1972، والتي قدمت أول وحدة أمن الأجهزة، وكان رائدًا في مجال أمن الإنترنت. حصل على ميدالية ستيوارت بالانتين (حاليًا باسم ميدالية بينجامين فرانكلين في الفيزياء)، وأُدخِل في قاعة مشاهير المخترعين الوطنيين لمساهماته الهامة في تكنولوجيا أشباه الموصلات وكذلك أمن البيانات.

وُلد في بورسعيد، مصر، وتلقى تعليمه في جامعة القاهرة في مصر ثم في جامعة بوردو في الولايات المتحدة، قبل انضمامه إلى مختبرات بِل في عام 1949 واعتمد لاحقًا الأسماء الأكثر إنكليزية «جون» أو «مارتن» محمد عطا الله كأسماء مهنية. حقق سلسلة من الاختراقات في تكنولوجيا أشباه الموصلات خلال 1956-1962، بدءًا بتطويره في عمليات التخميل السطحي وعمليات الأكسدة الحرارية (الأساس لتكنولوجيات أشباه الموصلات السيليكونية مثل عملية التبلر وشرائح الدارات المتكاملة المتجانسة)، يليه اختراعه موسفت (مع داون كانغ) في عام 1959، ثم عمليات تصنيع أشباه الموصلات من نوع إن (موس-إن) ومن نوع بّي (موس-بّي)، واقتراحه لشريحة الدارة المتكاملة موس في عام 1960، ومبرهناته في ترانزستورات الإلكترونيات النانوية ودَيودات شوتكي العملية. أدّى عمل عطا الله الرائد في مختبرات بِل إلى وضع أسس للإلكترونيات الحديثة، وقيام ثورة السيليكون، وثورة التكنولوجيا الرقمية. يعد موسفت على وجه الخصوص الركيزة الأساسية للإلكترونيات الحديثة، ويُعد أهم اختراع في مجال الإلكترونيات. يُعد أيضًا من أكثر الأجهزة المصنَّعة على نطاق واسع في التاريخ، ويطلق مكتب الولايات المتحدة لبراءات الاختراع والعلامات التجارية عليه «اختراع رائد طوّر الحياة والثقافة حول العالم».

أُهملَ اختراعه (موسفت) في البداية في مختبرات بِل، ما أدّى إلى استقالته من مختبرات بِل والانضمام إلى شركة هوليت-باكارد (إتش بّي)، حيث أسس مختبر أشباه الموصلات في عام 1962 ثم مختبرات إتش بّي في عام 1966، قبل مغادرته للانضمام إلى شركة فيرتشايلد لأشباه الموصلات وقسم الإلكترونيات الضوئية في عام 1969. تضمن عمله في شركات إتش بّي وفيرتشايلد مزيدًا من الأبحاث حول دَيودات شوتكي، بالإضافة إلى الأبحاث حول تقنيات زرنيخيد الغاليوم، وفوسفيد زرنيخيد الغاليوم، وإنديوم زرنيخيد، والثنائي الباعث للضوء (إل إي دي)، والمساهمة في تطوير أجهزة تحليل الشبكة عالية التردد، وتطوير أول تطبيق لشاشات إل إي دي، واقتراح أجهزة القراءة البصرية إل إي دي.

ترك فيما بعد صناعة أشباه الموصلات، وأصبح رائد أعمال في التشفير وأمن البيانات وأمن الحاسوب. في عام 1972، أسس شركة عطا الله، وقدم براءة اختراع لنظام أمن رقم التعريف الشخصي (بّي آي إن) عن بعد عبر شبكات الاتصالات السلكية واللاسلكية، وهي مقدمة للخدمات المصرفية عبر الهاتف وأمن الإنترنت والتجارة الإلكترونية.

في عام 1973، أصدر أول وحدة أمن الأجهزة، وهي «صندوق عطا الله» التي قامت بتشفير رسائل (رقم التعريف الشخصي) ورسائل (ماكينة الصراف الآلي)، واستمرت في تأمين غالبية معاملات ماكينة الصراف الآلي في العالم. وأطلق عطا الله نظامًا مسبقاً للمعالجة العملياتية المتصلة عبر الإنترنت في عام 1976 وأول معالج لأمن الشبكات (إن إس بّي) في عام 1979، ثم أسس شركة أمن الإنترنت تيستراتا في التسعينيات. تقديرًا لعمله على نظام رقم التعريف الشخصي (بّي آي إن) لإدارة أمن المعلومات وكذلك أمن الحاسوب، أُشير إلى عطا الله باعتباره «الأب لرمز بّي آي إن» ورائد في تكنولوجيا أمن المعلومات. توفّي في أثيرتون، كاليفورنيا، في 30 ديسمبر 2009.

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

النشأة والتعليم (1924-1949)

وُلد محمد محمد عطا الله في بورسعيد، مصر.^[2]^[2]^[3] درس في جامعة القاهرة في مصر، حيث حصل على درجة بكالوريوس العلوم. ذهب بعد ذلك إلى الولايات المتحدة، لدراسة الهندسة الميكانيكية في جامعة بوردو. حيث حصل على درجة الماجستير في عام 1947 وشهادة الدكتوراه في عام 1949، وكلاهما في الهندسة الميكانيكية. كانت أطروحته للماجستير في «تدفق عالي السرعة في الناشرات المربعة» التي نُشرت في عام 1948،^[4] وأطروحة الدكتوراه له بعنوان «تدفق مضغوط عالي السرعة في الناشرات المربعة» الذي نُشر في يناير 1949.

مختبرات بِل الهاتفية (1949-1962)

بعد الانتهاء من درجة الدكتوراه في جامعة بوردو، عمل عطا الله في مختبرات بِل الهاتفية (بي تي إل) في عام 1949.^[5] في عام 1950، بدأ العمل في عمليات مختبر بِل في مدينة نيويورك، حيث عمل على المشكلات المتعلقة بموثوقية المرحلات الكهروميكانيكية، وعلى شبكات الهاتف المعتمدة على تبديل الدارات.^[6] مع ظهور الترانزستورات، تم نقل عطا الله إلى مختبر موراي هيل، ومن هناك بدأ بقيادة فريق صغير لأبحاث الترانزستور في عام 1956.^[7] على الرغم من أنه جاء من مجال الهندسة الميكانيكية دون أن يتلقى تعليم رسمي في الكيمياء الفيزيائية، فقد أثبت نفسه باعتباره متعلّمًا سريعًا في الكيمياء الفيزيائية وفيزياء أشباه الموصلات، ما يدل في نهاية المطاف على مستوى عالٍ من المهارة في هذه المجالات. بحث من بين أمور أخرى، في الخصائص السطحية لأشباه الموصلات السيليكونية واستخدام السيليكا كطبقة واقية من أجهزة أشباه الموصلات السيليكونية. في النهاية تبنى الاسم المستعار المعروف «مارتن» محمد عطا الله أو «جون» محمد عطا الله لمهنته الاحترافية.^[8]

بين عامي 1956 و 1960، قاد عطا الله فريقًا صغيرًا من العديد من باحثي مختبرات بِل الهاتفية، بما في ذلك إيلين تانينباوم وإدوين جوزيف شيبنر وداون كانغ. كانوا مثله متطوعين جدد في مختبرات بِل الهاتفية، دون وجود باحثين كبار في الفريق.

في البداية لم يؤخذ عملهم على محمل الجد من قبل الإدارة العليا في بي تي إل ومالكها إيه تي أند تي، نظرًا لأن الفريق يتكون من متطوعين جدد، وبسبب أن قائد الفريق عطا الله نفسه يأتي من خلفية هندسية ميكانيكية، على عكس الفيزيائيين والكيميائيين الفيزيائيين وعلماء الرياضيات الذين أُخذوا بجدية أكبر، على الرغم من أن عطا الله أظهر مهارات متقدمة في فيزياء الكيمياء وفيزياء أشباه الموصلات.^[9]

بصرف النظر عن أن عملهم كان في الغالب بمفردهم، حقق عطا الله وفريقه تطورات مهمة في تكنولوجيا أشباه الموصلات. وفقًا لمهندس فيرتشايلد لأشباه الموصلات تشيه-تانغ ساه، فإن عمل عطا الله وفريقه خلال 1956-1960 كان «أهم تطور تكنولوجي مُعتبر» في تكنولوجيا أشباه الموصلات السيليكونية،^[10] بما في ذلك تاريخ الترانزستورات وهندسة الإلكترونيات الدقيقة.^[11]

التخميل السطحي بواسطة الأكسدة الحرارية

كان التركيز الأولي لأبحاث عطا الله هو حل مشكلة حالات سطح السيليكون. في ذلك الوقت، كانت الموصلة الكهربائية لمواد أشباه الموصلات مثل الجرمانيوم والسليكون محدودة بسبب حالات سطح الكم غير المستقرة، أي تكون الإلكترونات محاصرة على السطح، بسبب الروابط الحرّة التي تحدث بسبب وجود روابط غير مشبّعة على السطح. هذا يمنع الكهرباء من اختراق السطح بشكل موثوق للوصول إلى طبقة السيليكون شبه الموصلة. نظرًا لمشكلة الحالة السطحية، كان الجرمانيوم هو المادة الغالبة لأشباه الموصلات بالنسبة للترانزستورات وأجهزة أشباه الموصلات الأخرى في صناعة أشباه الموصلات السابقة، إذ كان الجرمانيوم قادرًا على زيادة حركية الإلكترونات.^[12]^[13]

MOSFET (الترانزستور MOS)

The MOSFET was invented by Atalla with his colleague Dawon Kahng in 1959, based on Atalla's earlier surface passivation and thermal oxidation processes.

الترانزستور النانوي

صمام ثنائي شوتكي

هيوليت باكارد (1962-1969)

شاشة LED

فيرتشايلد أشباه الموصلات (1969-1972)

شركة عطا الله (1972-1990)

بعد سنين طويلة حافلة بالإنجازات الهامة في مجال الصناعة الإلكترونية وأنصاف النواقل، قرر عطا الله سنة 1972 أن ينتقل لمجالٍ جديد كلياً وهو تقنيات التشفير وحماية البيانات، ليؤسس شركته الخاصة التي حملت اسم مؤسسة عطا الله (Atalla Corporation)، وساهمت بشكلٍ كبير في تغيير شكل المعاملات البنكية عبر أجهزة الصراف الآلي (ATMs)، حيث اخترعت المؤسسة أولَ وحدة حماية عتادية (HSM) التي عرفت أيضاً باسم صندوق عطا الله (Atalla Box)، والتي تم إطلاقها سنة 1973، وهي تلعب دوراً محورياً في توفير الحماية لعمليات التحويل المالي، وتمثل اليوم المعيار المرجعي لحماية عملية الدفع عبر البطاقة؛ إذ إنها توفر الحماية لأكثر من 250 مليون عملية تحويل عبر البطاقات البنكية كل يوم، وأكثر من 90 مليار عملية تحويل سنوياً، بحسب إحصاءات سنة 2013. فضلاً عن كون تقنية صندوق عطا الله هي الوسيلة المرجعية والأساسية في حماية عمليات التحويل المالي عبر أجهزة الصراف الآلي. تغير اسم مؤسسة عطا الله حيث تحمل اليوم اسم أوتيماكو Utimaco، والتي لا تزال تعمل في مجال تزويد خدمات ومعايير الحماية الرقمية خصوصاً في المجال المصرفي. لعب عطا الله دوراً هاماً في مجال تكنولوجيا وأمن المعلومات؛ إذ إنه ساهم أيضاً في تطوير رمز التعرف الشخصيّ (PIN)، الذي يعتمد على تقنيات التشفير لإنشاء وسيلةٍ يمكن عبرها التحقق من معلومات المستخدمين بوثوقيةٍ عالية، وبما يسمح بإجراء العمليات البنكية بحمايةٍ وأمان. ونظراً لأهمية هذه التقنية ودورها الكبير في تحسين مجال الخدمات المصرفية وحماية بيانات المستخدمين، أصبح عطا الله يُعرف على صعيدٍ واسع على أنه والد رمز التعرف الشخصي (Father of the PIN).

وحدة أمان الأجهزة

الأمن على الإنترنت

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

TriStrata Security (1993-1999)

أعلن عطا الله عن تقاعده عن العمل الاحترافيّ سنة 1990، وذلك بعد أن دمج مؤسسة عطا الله مع شركة تاندم، إلا أنه عاود نشاطه وعمله عبر تأسيس شركة تريستارا TriStara سنة 1993، بعد قيام مجموعة من مدراء المصارف في الولايات المتحدة بالتواصل معه وإخباره عن مخاوفهم بسبب عدم حصول ابتكاراتٍ تقنية في مجال الحماية والأمان، التي من شأنها إنشاء بيئة فعالة للتجارة والأعمال المالية الإلكترونية، وبالرّغم من تقديم الشركة لمبدأ مبتكر في كيفية حماية المعلومات والبيانات، إلا أن الشركة لم تنجح، وبقيت فاعلة حتى سنة 1999 فقط.^[14]

سنوات لاحقة والموت (2000-2009)

عاش في آثرتون، كاليفورنيا. توفي عطاالله في 30 ديسمبر 2009 في آثرتون.^[15]

جوائز وتكريم

حصل عطا الله على جوائز وتكريماتٍ كثيرة خلال مسيرته الحافلة، وأبرزها تقليده ميدالية بنجامن فرانكلن في الفيزياء سنة 1975؛ تقديراً لجهوده في تطوير ترانزستور موسفت، كما حصل على دكتوراه فخرية من جامعة پوردو.

المراجع

^ Bassett, Jackie (2006). So You Built It And They Didn't Come. Now What? (in الإنجليزية). Sales of Innovative Products. p. 109. ISBN 9781425915469.
^ ^أ ^ب "Mohamed Mohamed Atalla".
^ History of Semiconductor Engineering.
^ Atalla (1948). "High Speed Flow in Square Diffusers". Research Series. {{cite journal}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help)
^ "Martin (John) M. Atalla".
^ Atalla (1953). "Arcing of electrical contacts in telephone switching circuits: Part I — Theory of the initiation of the short arc". The Bell System Technical Journal. {{cite journal}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help)
^ Bassett. To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology. {{cite book}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help)
^ Moskowitz. Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century. {{cite book}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help)
^ Huff; Tsuya; Gösele. Silicon Materials Science and Technology: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology. {{cite book}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help); Unknown parameter |frist2= ignored (help); Unknown parameter |frist3= ignored (help)
^ Sah (October 1988). "Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI" (PDF). Proceedings of the IEEE. ISSN 0018-9219. {{cite journal}}: Unknown parameter |frist= ignored (|first= suggested) (help); Unknown parameter |اقتباس= ignored (help)
^ "A review of IC isolation technologies". Solid State Technology. March 1992. {{cite journal}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help); Unknown parameter |lsat1= ignored (help)
^ Dabrowski; Müssig (2000). "6.1. Introduction". Silicon Surfaces and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World. ISBN 9789810232863. {{cite book}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help); Unknown parameter |frist2= ignored (help)
^ Heywang; Zaininger. "2.2. Early history". Silicon: Evolution and Future of a Technology. ISBN 9783662098974. {{cite book}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help); Unknown parameter |frist2= ignored (help)
^ "تعرف على المصري محمد عطا الله، مخترع ترانزستور موسفيت ورائد تقنيات الحماية المصرفية".
^ Atalla, Martin M. "Social Security Death Index". genealogybank. Retrieved 22 January 2015.

الكلمات الدالة:

[1] Bassett, Jackie (2006). So You Built It And They Didn't Come. Now What? (in الإنجليزية). Sales of Innovative Products. p. 109. ISBN 9781425915469.

[مولد_تلقائيا1-2] أ ^ب "Mohamed Mohamed Atalla".

[Lojek-name-3] History of Semiconductor Engineering.

[Purdue1948-4] Atalla (1948). "High Speed Flow in Square Diffusers". Research Series. {{cite journal}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help)

[atalla-5] "Martin (John) M. Atalla".

[6] Atalla (1953). "Arcing of electrical contacts in telephone switching circuits: Part I — Theory of the initiation of the short arc". The Bell System Technical Journal. {{cite journal}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help)

[Bassett22-7] Bassett. To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology. {{cite book}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help)

[Moskowitz-8] Moskowitz. Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century. {{cite book}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help)

[Huff-9] Huff; Tsuya; Gösele. Silicon Materials Science and Technology: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology. {{cite book}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help); Unknown parameter |frist2= ignored (help); Unknown parameter |frist3= ignored (help)

[Sah-10] Sah (October 1988). "Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI" (PDF). Proceedings of the IEEE. ISSN 0018-9219. {{cite journal}}: Unknown parameter |frist= ignored (|first= suggested) (help); Unknown parameter |اقتباس= ignored (help)

[Wolf-11] "A review of IC isolation technologies". Solid State Technology. March 1992. {{cite journal}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help); Unknown parameter |lsat1= ignored (help)

[Dabrowski6-12] Dabrowski; Müssig (2000). "6.1. Introduction". Silicon Surfaces and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World. ISBN 9789810232863. {{cite book}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help); Unknown parameter |frist2= ignored (help)

[Heywang-13] Heywang; Zaininger. "2.2. Early history". Silicon: Evolution and Future of a Technology. ISBN 9783662098974. {{cite book}}: Unknown parameter |frist1= ignored (help); Unknown parameter |frist2= ignored (help)

[14] "تعرف على المصري محمد عطا الله، مخترع ترانزستور موسفيت ورائد تقنيات الحماية المصرفية".

[15] Atalla, Martin M. "Social Security Death Index". genealogybank. Retrieved 22 January 2015.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

[11]

[12]

[13]

[14]

[15]