تشويب

التشويب أو التطعيم Doping هي عملية مصنعية تتم لتحويل نبيطة شبه الموصل من كونها شبه موصل داخلي لتصبح شبه موصل خارجي عن طريق إضافة إلى النبيطة في سبيل خلق فجوة إلكترونية أو لإيجاد إلكترون حر فعند إضافة كمية قليلة من مادة مانحة تحتوي 5 إلكترونات مثل الأنتيمون أو الفوسفور أو الزرنيخ أو غيرها من من عناصر المجموعة الخامسة بالجدول الدوري و بهذه الطريقة تصبح بلورة المادة المشوبة حينها بلورة شبه موصل سالب أما إذا أضيف للبلورة النقية مادة متقبلة من عناصر المجموعة الثالثة تحتوي ذراتها على ثلاثة الكترونات فعندها ستشكل الالكترونات الثلاث رابطة تساهمية مع الكترونات الذرات المجاورة وتبقى الرابطة الرابعة غير مكتملة مما يؤدي إلى تكون فجوة إلكترونية وتسمى البلورة من هذا النوع بلورة شبه موصل موجب.

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

 التأثير على بنية النطاق الإلكتروني

مخطط النطاقات of PN junction operation in forward bias mode showing reducing depletion width. Both p and n junctions are doped at a 1×10¹⁵/cm³ doping level, leading to built-in potential of ~0.59 V. Reducing depletion width can be inferred from the shrinking charge profile, as fewer dopants are exposed with increasing forward bias.

 تشويب بتحول النيوترونات

Neutron transmutation doping (NTD) is an unusual doping method for special applications. وعموماً، it is used to dope silicon n-type in high-power electronics. It is based on the conversion of the Si-30 isotope into ذرة فسفور بامتصاص النيوترون كما يلي:

$^{30}\mathrm {Si} \,(n,\gamma )\,^{31}\mathrm {Si} \rightarrow \,^{31}\mathrm {P} +\beta ^{-}\;(\mathrm {T} _{1/2}=2.62h).$

 انظر أيضاً

• Extrinsic semiconductor
• Intrinsic semiconductor
• p-n junction
• List of semiconductor materials